Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия; Физика и техника полупроводников; Т. 16, вып. 12

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Parent link:Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968-
Т. 16, вып. 12.— 1982.— С. 2126-2128
Κύριος συγγραφέας: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Άλλοι συγγραφείς: Пешев В. В., Чернов И. П. Иван Петрович
Περίληψη:Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовалась температурная зависимость накопления центров Е3 в области пространственного заряда (ОПЗ) и в нейтральном объеме арсенида галлия при облучении γ-квантами источника 60Co. Показано, что эти зависимости для ОПЗ существенно отличаются от аналогичных в нейтральном объеме
Γλώσσα:Ρωσικά
Έκδοση: 1982
Θέματα:
Μορφή: Κεφάλαιο βιβλίου
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494042
Περιγραφή
Περίληψη:Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовалась температурная зависимость накопления центров Е3 в области пространственного заряда (ОПЗ) и в нейтральном объеме арсенида галлия при облучении γ-квантами источника 60Co. Показано, что эти зависимости для ОПЗ существенно отличаются от аналогичных в нейтральном объеме