Образование центров E4 (Ec - 0,76 эВ) в арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 45, № 2

Образование центров E4 (Ec - 0,76 эВ) в арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 45, № 2

書目詳細資料
Parent link:	Известия вузов. Физика.— , 1958- Т. 45, № 2.— 2002.— С. 3-5
主要作者:	Пешев В. В.
其他作者:	Суржиков А. П. Анатолий Петрович
總結:	Исследовались влияние энергии бомбардирующих электронов на скорость образования центров E4 (Ec-0,76 эВ), а также температурные зависимости эффективности образования этих дефектов в нейтральном объеме (НО) и области пространственного заряда (ОПЗ) арсенида галлия n-типа. В качестве образцов использовались диоды с барьером Шотки, полученные напылением титана на эпитаксиальные слои n-GaAs с n=(2-4)×1015 см3. Концентрация центров определялась из спектров НСГУ. Показано, что с увеличением энергии бомбардирующих электронов от 1,3 до 2,2 МэВ количество центров E4 резко возрастает в общем количестве радиационных дефектов. Установлено, что скорость введения центров E4 в ОПЗ не зависит от температуры облучения и существенно больше, чем в HO. В НО скорость введения нелинейно возрасте с увеличением температуры облучения. Предполагается, что центр E4 - комплекс, состоящий из двух элементарных дефектов, созданных в соседних узлах подрешеток Ga и As в едином акте соударения. При этом окончательная конфигурация комплекса формируется в результате взаимодействия этих дефектов, которое зависит от динамики преобразования их начальных зарядовых состояний
語言:	俄语
出版:	2002
主題:	труды учёных ТПУ
格式:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494025

相似書籍

Peculiarities of E4-centers (EC - 0.76 eV) formation nearby the gallium arsenide-metal boundary; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
由: Peshev V. V.
出版: (2006)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
由: Пешев В. В.
出版: (2002)

Радиационные дефекты в арсениде галлия, введенные нейтронами и протонами; Перспективные материалы; № 3
由: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版: (2008)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
由: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版: (2005)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
由: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
由: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
由: Сараева В. Е.
出版: (1989)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
由: Черняев А. В. Александр Владимирович
出版: (Москва, Радио и связь, 1990)

Метод постоянного графика для спектрального определения примесей в арсениде галлия: отдельный оттиск
由: Карпель Н. Г.
出版: (Москва, [Б. и.], 1964)

Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами; Физика и техника полупроводников; Т. 17, вып. 7
由: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
出版: (1983)

Определение висмута в арсениде галлия; Промышленность химических реактивов и особо чистых веществ; № 4
由: Глуховская Р. Д.
出版: (1964)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
出版: (Москва, Радио и связь, 1988)

Пространственно-временная структура мюонного диска при [E0>=5.10¹6 эВ] по данным Якутской установки шал; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 1
出版: (2004)

Термодинамические и оптические свойства ионизированных газов при температурах до 100 эВ: справочник
出版: (Москва, Энергоатомиздат, 1988)

Радиационные эффекты в арсениде галлия при облучении нейтронами; Электронная промышленность. Наука. Технология. Изделия; № 2-3
由: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版: (2002)

Исследование итрийалкминиевого граната в спектральной области 2÷20,5 эВ; Электронные возбуждения ионных кристаллов
由: Роозе Н. С.
出版: (1975)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
由: Максимова Н. К.
出版: (Томск, 1972)

Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы; Физика и техника полупроводников; Т. 18, вып. 2
出版: (1984)

Реле времени типов ЭВ и РВМ
由: Жданов Л. С. Леонид Сергеевич
出版: (Москва, Энергия, 1969)

Кластеры в направлениях прихода космических лучей с E0~2 х 10_17 эВ по данным якутской установки ШАЛ; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2
由: Глушков А. В.
出版: (2002)

Исследования по разработке методики определения микроколичеств олова и свинца в арсениде галлия; Химия и химическая технология; Вып. 1
由: Мамонтова И. П.
出版: (1973)

Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции; Физика и техника полупроводников; Т. 12, вып. 9
出版: (1978)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
由: Пешев В. В.
出版: (2002)

Введение в систему программирования OC EC
由: Лебедев В. Н. Владлен Николаевич
出版: (Москва, Статистика, 1978)

Information and Communication Technologies of Ecuador (TIC.EC)
出版: (2020)

Information and Communication Technologies of Ecuador (TIC.EC)
出版: (2019)

Search for the Rare Decays B0s→e+e− and B0→e+e−; Physical Review Letters; Vol. 124, iss. 21
出版: (2020)

Cбopник тecтoв пo oбщeй и клиничecкoй иммyнoлoгии для cтyдeнтoв мeдикo-биoлoгичecкoгo фaкyльтeтa учебное пособие
由: Гaнкoвcкaя Л. B.
出版: (Москва, РНИМУ им. Н.И. Пирогова, 2023)

Определение некоторых микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением; Всесоюзная конференция по получению и анализу элементов особой чистоты
由: Катаев Г. А. Григорий Алексеевич
出版: (1963)

Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия; Физика и техника полупроводников; Т. 16, вып. 12
由: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
出版: (1982)

Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 3
由: Ардышев М. В.
出版: (2005)

Электрические цепи: лабораторный практикум на стенде ЭВ-4
由: Галайдин П. А.
出版: (Санкт-Петербург, БГТУ "Военмех" им. Д.Ф. Устинова, 2022)

Спектры возбуждения люминесценции кислородосодержащих соединений синхротронным излучением (5-25 эВ); Электронные возбуждения и дефекты окислов и галогенидов металлов
出版: (1982)

Vol. 76, № 5; Transactions of the A.S.M.E.
出版: (1954)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
由: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
出版: (Томск, [Б. и.], 2004)

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением: отчет о НИР; тема: х/д 29/66
出版: (Томск, 1967)

Спектры DLTS арсенида галлия, содержащего встроенные электрические поля; Фундаментальные исследования; № 4
由: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版: (2007)

Фосфид галлия
出版: (Кишинев, Ред.-изд. отдел АН Молдавской ССР, 1969)

Исследования по определению микроколичества олова и свинца в арсениде галлия; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 275 : Неорганическая химия и химическая технология
由: Каплин А. А. Анатолий Александрович
出版: (1976)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
由: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
出版: (Томск, [Б. и.], 2004)