Образование центров E4 (Ec - 0,76 эВ) в арсениде галлия

Образование центров E4 (Ec - 0,76 эВ) в арсениде галлия

書誌詳細
Parent link:	Известия вузов. Физика.— , 1958- Т. 45, № 2.— 2002.— С. 3-5
第一著者:	Пешев В. В.
その他の著者:	Суржиков А. П. Анатолий Петрович
要約:	Исследовались влияние энергии бомбардирующих электронов на скорость образования центров E4 (Ec-0,76 эВ), а также температурные зависимости эффективности образования этих дефектов в нейтральном объеме (НО) и области пространственного заряда (ОПЗ) арсенида галлия n-типа. В качестве образцов использовались диоды с барьером Шотки, полученные напылением титана на эпитаксиальные слои n-GaAs с n=(2-4)×1015 см3. Концентрация центров определялась из спектров НСГУ. Показано, что с увеличением энергии бомбардирующих электронов от 1,3 до 2,2 МэВ количество центров E4 резко возрастает в общем количестве радиационных дефектов. Установлено, что скорость введения центров E4 в ОПЗ не зависит от температуры облучения и существенно больше, чем в HO. В НО скорость введения нелинейно возрасте с увеличением температуры облучения. Предполагается, что центр E4 - комплекс, состоящий из двух элементарных дефектов, созданных в соседних узлах подрешеток Ga и As в едином акте соударения. При этом окончательная конфигурация комплекса формируется в результате взаимодействия этих дефектов, которое зависит от динамики преобразования их начальных зарядовых состояний
出版事項:	2002
主題:	труды учёных ТПУ
フォーマット:	図書の章
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494025

類似資料

Peculiarities of E4-centers (EC - 0.76 eV) formation nearby the gallium arsenide-metal boundary
著者:: Peshev V. V.
出版事項: (2006)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях
著者:: Пешев В. В.
出版事項: (2002)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия
著者:: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版事項: (2005)

Определение висмута в арсениде галлия
著者:: Глуховская Р. Д.
出版事項: (1964)

Радиационные дефекты в арсениде галлия, введенные нейтронами и протонами
著者:: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版事項: (2008)

Определение сурьмы в арсениде галлия методом амальгамной полярографии
著者:: Захарова Э. А. Эльза Арминовна
出版事項: (1967)

Радиационные эффекты в арсениде галлия при облучении нейтронами
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2002)

Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами
著者:: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
出版事項: (1983)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия
著者:: Сараева В. Е.
出版事項: (1989)

Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы
出版事項: (1984)

Исследование возможности создания ядерной батарейки на арсениде галлия
著者:: Прокопьев Д. Г.
出版事項: (2011)

Пространственно-временная структура мюонного диска при [E0>=5.10¹6 эВ] по данным Якутской установки шал
出版事項: (2004)

Исследования по определению микроколичества олова и свинца в арсениде галлия
著者:: Каплин А. А. Анатолий Александрович
出版事項: (1976)

Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции
出版事項: (1978)

Кластеры в направлениях прихода космических лучей с E0~2 х 10_17 эВ по данным якутской установки ШАЛ
著者:: Глушков А. В.
出版事項: (2002)

Метод постоянного графика для спектрального определения примесей в арсениде галлия отдельный оттиск
著者:: Карпель Н. Г.
出版事項: (Москва, [Б. и.], 1964)

Определение некоторых микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением
著者:: Катаев Г. А. Григорий Алексеевич
出版事項: (1963)

Исследование итрийалкминиевого граната в спектральной области 2÷20,5 эВ
著者:: Роозе Н. С.
出版事項: (1975)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
著者:: Максимова Н. К.
出版事項: (Томск, 1972)

Спектры возбуждения люминесценции кислородосодержащих соединений синхротронным излучением (5-25 эВ)
出版事項: (1982)

Исследования по разработке методики определения микроколичеств олова и свинца в арсениде галлия
著者:: Мамонтова И. П.
出版事項: (1973)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
著者:: Черняев А. В. Александр Владимирович
出版事項: (Москва, Радио и связь, 1990)

Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия
著者:: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
出版事項: (1982)

Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами
著者:: Ардышев М. В.
出版事項: (2005)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления пер. с англ.
出版事項: (Москва, Радио и связь, 1988)

Search for the Rare Decays B0s→e+e− and B0→e+e−
出版事項: (2020)

Термодинамические и оптические свойства ионизированных газов при температурах до 100 эВ справочник
出版事項: (Москва, Энергоатомиздат, 1988)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами
著者:: Пешев В. В.
出版事項: (2002)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия
著者:: Карлова Г. Ф.
出版事項: (2011)

Спектры отражения и возбуждения рекомбинационной люминесценции SrS и CaS в области до 6 эВ
著者:: Яэк И. В.
出版事項: (1981)

Исследование спектров возбуждения люминесценции и отражения окиси магния в области энергий 5-28 эВ
出版事項: (1982)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук Спец. 01.04.10
著者:: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2004)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Спец. 01.04.10
著者:: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2004)

Реле времени типов ЭВ и РВМ
著者:: Жданов Л. С. Леонид Сергеевич
出版事項: (Москва, Энергия, 1969)

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением отчет о НИР тема: х/д 29/66
出版事項: (Томск, 1967)

NDT&E for Industry 4.0
著者:: Koster D. Dirk
出版事項: (2019)

Спектры DLTS арсенида галлия, содержащего встроенные электрические поля
著者:: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版事項: (2007)

Information and Communication Technologies of Ecuador (TIC.EC)
出版事項: (2019)

Information and Communication Technologies of Ecuador (TIC.EC)
出版事項: (2020)

Оптические и фотоэмиссионные спектры азидов тяжелых металлов, нитратов, хлоратов, перхлоратов щелочных металлов в области 2-12 эВ
出版事項: (1978)