Образование центров E4 (Ec - 0,76 эВ) в арсениде галлия
| Parent link: | Известия вузов. Физика.— , 1958- Т. 45, № 2.— 2002.— С. 3-5 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Summary: | Исследовались влияние энергии бомбардирующих электронов на скорость образования центров E4 (Ec-0,76 эВ), а также температурные зависимости эффективности образования этих дефектов в нейтральном объеме (НО) и области пространственного заряда (ОПЗ) арсенида галлия n-типа. В качестве образцов использовались диоды с барьером Шотки, полученные напылением титана на эпитаксиальные слои n-GaAs с n=(2-4)×1015 см3. Концентрация центров определялась из спектров НСГУ. Показано, что с увеличением энергии бомбардирующих электронов от 1,3 до 2,2 МэВ количество центров E4 резко возрастает в общем количестве радиационных дефектов. Установлено, что скорость введения центров E4 в ОПЗ не зависит от температуры облучения и существенно больше, чем в HO. В НО скорость введения нелинейно возрасте с увеличением температуры облучения. Предполагается, что центр E4 - комплекс, состоящий из двух элементарных дефектов, созданных в соседних узлах подрешеток Ga и As в едином акте соударения. При этом окончательная конфигурация комплекса формируется в результате взаимодействия этих дефектов, которое зависит от динамики преобразования их начальных зарядовых состояний |
| Published: |
2002
|
| Subjects: | |
| Format: | Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494025 |