|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
494025 |
| 005 |
20240131163955.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\163528
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\prd\144445
|
| 090 |
|
|
|a 494025
|
| 100 |
|
|
|a 20121219a2002 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Образование центров E4 (Ec - 0,76 эВ) в арсениде галлия
|f В. В. Пешев, А. П. Суржиков
|
| 330 |
|
|
|a Исследовались влияние энергии бомбардирующих электронов на скорость образования центров E4 (Ec-0,76 эВ), а также температурные зависимости эффективности образования этих дефектов в нейтральном объеме (НО) и области пространственного заряда (ОПЗ) арсенида галлия n-типа. В качестве образцов использовались диоды с барьером Шотки, полученные напылением титана на эпитаксиальные слои n-GaAs с n=(2-4)×1015 см3. Концентрация центров определялась из спектров НСГУ. Показано, что с увеличением энергии бомбардирующих электронов от 1,3 до 2,2 МэВ количество центров E4 резко возрастает в общем количестве радиационных дефектов. Установлено, что скорость введения центров E4 в ОПЗ не зависит от температуры облучения и существенно больше, чем в HO. В НО скорость введения нелинейно возрасте с увеличением температуры облучения. Предполагается, что центр E4 - комплекс, состоящий из двух элементарных дефектов, созданных в соседних узлах подрешеток Ga и As в едином акте соударения. При этом окончательная конфигурация комплекса формируется в результате взаимодействия этих дефектов, которое зависит от динамики преобразования их начальных зарядовых состояний
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191
|t Известия вузов. Физика
|d 1958-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77221
|t Т. 45, № 2
|v С. 3-5
|d 2002
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 700 |
|
1 |
|a Пешев
|b В. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Суржиков
|b А. П.
|c физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1951-
|g Анатолий Петрович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22010
|9 9307
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20050209
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20121219
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
