Действие ионного облучения на структуру и свойства оксидных диэлектриков

Действие ионного облучения на структуру и свойства оксидных диэлектриков

Bibliographic Details
Parent link:Перспективные материалы: научный журнал.— , 1996-.— 1028-978X
№ 6.— 2000.— С. 26-35
Main Author: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Other Authors: Франгульян Т. С. Тамара Семёновна
Summary:Выполнен системный анализ влияния ионных пучков различных элементов на структуру и проводящие свойства поверхности широкого класса диэлектрич. материалов. Проведенный комплекс исследований показал, что нарушение стехиометрии состава слоев по кислороду в результате ионной бомбардировки является необходимым, но недостаточным условием для перехода диэлектрика в проводящее состояние. Только при одновременно протекающих в условиях ионного облучения процессах нарушения стехиометрии и радиационно-стимулированной структурной перестройки поверхности может быть сформирована система локализованных состояний, отвечающих за появление значительной электронной составляющей тока в ионно-модифицированных слоях диэлектрика
Published: 2000
Subjects:
труды учёных ТПУ
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494015

Similar Items

Similar Items