|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
494015 |
| 005 |
20231101100514.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\163518
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\prd\163329
|
| 090 |
|
|
|a 494015
|
| 100 |
|
|
|a 20121219a2000 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Действие ионного облучения на структуру и свойства оксидных диэлектриков
|f В. Ф. Пичугин, Т. С. Франгульян
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: 13 назв.
|
| 330 |
|
|
|a Выполнен системный анализ влияния ионных пучков различных элементов на структуру и проводящие свойства поверхности широкого класса диэлектрич. материалов. Проведенный комплекс исследований показал, что нарушение стехиометрии состава слоев по кислороду в результате ионной бомбардировки является необходимым, но недостаточным условием для перехода диэлектрика в проводящее состояние. Только при одновременно протекающих в условиях ионного облучения процессах нарушения стехиометрии и радиационно-стимулированной структурной перестройки поверхности может быть сформирована система локализованных состояний, отвечающих за появление значительной электронной составляющей тока в ионно-модифицированных слоях диэлектрика
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\485
|x 1028-978X
|t Перспективные материалы
|o научный журнал
|d 1996-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\93922
|t № 6
|v С. 26-35
|d 2000
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 700 |
|
1 |
|a Пичугин
|b В. Ф.
|c российский физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1944-
|g Владимир Федорович
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25824
|
| 701 |
|
1 |
|a Франгульян
|b Т. С.
|c росиийскиё учёный в области электроники, диэлектриков и полупроводников
|c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета
|g Тамара Семёновна
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26534
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20101024
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20140207
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
