Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига; Вестник науки Сибири; № 1 (2)

Detalles Bibliográficos
Parent link:Вестник науки Сибири: электронный научный журнал/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2011-.— 2226-0064
№ 1 (2).— 2012.— [С. 109-114]
Otros Autores: Дохтуров В. В. Всеволод Всеволодович, Смирнов С. В. Серафим Всеволодович, Юрченко А. В. Алексей Васильевич, Юрченко В. И. Василий Иванович
Sumario:Заглавие с титульного листа
Проведен анализ процесса отжига омических контактов к полупроводниковым структурам на основе арсенида галлия и его твердых растворов с контролем сопротивления непосредственно в процессе отжига. Приведена эмпирическая формула зависимости приведенного поверхностного сопротивления от температуры. Представлена физическая модель формирования омических контактов.
Lenguaje:ruso
Publicado: 2012
Colección:Инженерные науки
Materias:
Acceso en línea:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15928
Formato: Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=478732

Ejemplares similares