Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига

Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига

Bibliographic Details
Parent link:Вестник науки Сибири: электронный научный журнал/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2011-.— 2226-0064
№ 1 (2).— 2012.— [С. 109-114]
Other Authors: Дохтуров В. В. Всеволод Всеволодович, Смирнов С. В. Серафим Всеволодович, Юрченко А. В. Алексей Васильевич, Юрченко В. И. Василий Иванович
Summary:Заглавие с титульного листа
Проведен анализ процесса отжига омических контактов к полупроводниковым структурам на основе арсенида галлия и его твердых растворов с контролем сопротивления непосредственно в процессе отжига. Приведена эмпирическая формула зависимости приведенного поверхностного сопротивления от температуры. Представлена физическая модель формирования омических контактов.
Language:Russian
Published: 2012
Series:Инженерные науки
Subjects:
омические контакты
параметры
контроль
сопротивление
отжиг
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
Online Access:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15928
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=478732

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15928

Similar Items