Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига

Bibliografske podrobnosti
Parent link:Вестник науки Сибири: электронный научный журнал/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2011-.— 2226-0064
№ 1 (2).— 2012.— [С. 109-114]
Drugi avtorji: Дохтуров В. В. Всеволод Всеволодович, Смирнов С. В. Серафим Всеволодович, Юрченко А. В. Алексей Васильевич, Юрченко В. И. Василий Иванович
Izvleček:Заглавие с титульного листа
Проведен анализ процесса отжига омических контактов к полупроводниковым структурам на основе арсенида галлия и его твердых растворов с контролем сопротивления непосредственно в процессе отжига. Приведена эмпирическая формула зависимости приведенного поверхностного сопротивления от температуры. Представлена физическая модель формирования омических контактов.
Jezik:ruščina
Izdano: 2012
Serija:Инженерные науки
Teme:
Online dostop:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15928
Format: Elektronski Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=478732

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 478732
005 20240223064749.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\145574 
035 |a RU\TPU\prd\145572 
090 |a 478732 
100 |a 20120702d2012 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига  |f В. В. Дохтуров [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
215 |a 1 файл (952 Кб) 
225 1 |a Инженерные науки 
300 |a Заглавие с титульного листа 
320 |a [Библиогр.: с. 114 (6 назв.)] 
330 |a Проведен анализ процесса отжига омических контактов к полупроводниковым структурам на основе арсенида галлия и его твердых растворов с контролем сопротивления непосредственно в процессе отжига. Приведена эмпирическая формула зависимости приведенного поверхностного сопротивления от температуры. Представлена физическая модель формирования омических контактов. 
337 |a Adobe Reader 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\143680  |x 2226-0064  |t Вестник науки Сибири  |o электронный научный журнал  |f Томский политехнический университет (ТПУ)  |d 2011- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\145194  |t № 1 (2)  |v [С. 109-114]  |d 2012 
610 1 |a омические контакты 
610 1 |a параметры 
610 1 |a контроль 
610 1 |a сопротивление 
610 1 |a отжиг 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
675 |a 621.383  |v 3 
701 1 |a Дохтуров  |b В. В.  |g Всеволод Всеволодович 
701 1 |a Смирнов  |b С. В.  |g Серафим Всеволодович 
701 1 |a Юрченко  |b А. В.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1974-  |g Алексей Васильевич  |y Томск  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25599  |9 11528 
701 1 |a Юрченко  |b В. И.  |g Василий Иванович 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090623  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20180115  |g PSBO 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15928 
942 |c BK