Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига; Вестник науки Сибири; № 1 (2)
| Parent link: | Вестник науки Сибири: электронный научный журнал/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2011-.— 2226-0064 № 1 (2).— 2012.— [С. 109-114] |
|---|---|
| מחברים אחרים: | , , , |
| סיכום: | Заглавие с титульного листа Проведен анализ процесса отжига омических контактов к полупроводниковым структурам на основе арсенида галлия и его твердых растворов с контролем сопротивления непосредственно в процессе отжига. Приведена эмпирическая формула зависимости приведенного поверхностного сопротивления от температуры. Представлена физическая модель формирования омических контактов. |
| שפה: | רוסית |
| יצא לאור: |
2012
|
| סדרה: | Инженерные науки |
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15928 |
| פורמט: | אלקטרוני Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=478732 |
| תיאור פיזי: | 1 файл (952 Кб) |
|---|---|
| סיכום: | Заглавие с титульного листа Проведен анализ процесса отжига омических контактов к полупроводниковым структурам на основе арсенида галлия и его твердых растворов с контролем сопротивления непосредственно в процессе отжига. Приведена эмпирическая формула зависимости приведенного поверхностного сопротивления от температуры. Представлена физическая модель формирования омических контактов. |