Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии

Dettagli Bibliografici
Parent link:	Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1931-.— 0044-4642 Т. 72, вып. 1.— 2002.— с. 66-71
Autore principale:	Демарина Н. В.
Altri autori:	Оболенский С. В.
Lingua:	russo
Pubblicazione:	2002
Serie:	Твердотельная электроника
Soggetti:	электронный транспорт радиационное воздействие заряды нанометровая структура электронно-дырочный газ уравнение Больцмана полупроводники облучение электроны
Natura:	Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=438631

Descrizione
Descrizione non disponibile.

Documenti analoghi