Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии; Журнал технической физики; Т. 72, вып. 1

Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии

Bibliografische gegevens
Parent link:Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1931-.— 0044-4642
Т. 72, вып. 1.— 2002.— с. 66-71
Hoofdauteur: Демарина Н. В.
Andere auteurs: Оболенский С. В.
Taal:Russisch
Gepubliceerd in: 2002
Reeks:Твердотельная электроника
Onderwerpen:
электронный транспорт
радиационное воздействие
заряды
нанометровая структура
электронно-дырочный газ
уравнение Больцмана
полупроводники
облучение
электроны
Formaat: Hoofdstuk
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=438631

Gelijkaardige items