Исследование угловых распределений мягкой компоненты излучения релятивистских электронов вблизи плоскостной ориентации монокристаллов большой толшины

Detalles Bibliográficos
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-
Т. 33, № 6.— 1991.— С. 70-80
Outros autores: Амосов К. Ю., Андреяшкин М. Ю., Внуков И. Е., Калинин Б. Н., Науменко Г. А. Геннадий Андреевич, Потылицын А. П. Александр Петрович, Сырычев В. П.
Summary:На Томском синхротроне проведено экспериментальное исследование мягrой компоненты излучения релятивистских электронов в моно­кристаллах алмаза, кремния и вольфрама. Показано, что за счет угловой се­лекции может быть выделена компонента излучения, связанная с каналированным излучением электронов, захваченных в этот режим движения внутри кристалла. Обнаружено, что линейная плотность излучения электронов, кото­рые должны быть захвачены в режим плоскостного каналирования внутри кристалла вследствие многократного рассеяния, существенно подавлена по сравнению с линейной плотностью излучения электронов, захваченных в этот режим движения в приповерхностном слое кристалла. Показано, что эффект "квазипреломления" электронного пучка потенциалом плоскости в толстых мо­нокристаллах приводит к "эффективному отражению" электронов.
Idioma:ruso
Publicado: 1991
Subjects:
Formato: Capítulo de libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=424732

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 424732
005 20240215100438.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\83222 
035 |a RU\TPU\prd\83220 
090 |a 424732 
100 |a 20100604a1991 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Исследование угловых распределений мягкой компоненты излучения релятивистских электронов вблизи плоскостной ориентации монокристаллов большой толшины  |f К. Ю. Амосов [и др.] 
320 |a Библиогр.: с. 80 
330 |a На Томском синхротроне проведено экспериментальное исследование мягrой компоненты излучения релятивистских электронов в моно­кристаллах алмаза, кремния и вольфрама. Показано, что за счет угловой се­лекции может быть выделена компонента излучения, связанная с каналированным излучением электронов, захваченных в этот режим движения внутри кристалла. Обнаружено, что линейная плотность излучения электронов, кото­рые должны быть захвачены в режим плоскостного каналирования внутри кристалла вследствие многократного рассеяния, существенно подавлена по сравнению с линейной плотностью излучения электронов, захваченных в этот режим движения в приповерхностном слое кристалла. Показано, что эффект "квазипреломления" электронного пучка потенциалом плоскости в толстых мо­нокристаллах приводит к "эффективному отражению" электронов. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |t Известия вузов. Физика  |f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет  |d 1958- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77078  |t Т. 33, № 6  |v С. 70-80  |d 1991 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Амосов  |b К. Ю.  |4 070 
701 1 |a Андреяшкин  |b М. Ю.  |4 070 
701 1 |a Внуков  |b И. Е.  |4 070 
701 1 |a Калинин  |b Б. Н.  |4 070 
701 1 |a Науменко  |b Г. А.  |c физик  |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета  |f 1947-  |g Геннадий Андреевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26566 
701 1 |a Потылицын  |b А. П.  |c российский физик  |c профессор Томского политехнического университета  |f 1945-  |g Александр Петрович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\15853  |4 070  |9 5531 
701 1 |a Сырычев  |b В. П.  |4 070 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20100604 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160211  |g RCR 
942 |c BK