Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]

Detalhes bibliográficos
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411
Т. 47, № 3.— 2004.— с. 59-65
Autor principal: Ардышев М. В.
Outros Autores: Ардышев В. М.
Publicado em: 2004
Colecção:Физика полупроводников и диэлектриков
Assuntos:
Formato: Capítulo de Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=420039

Registos relacionados