Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3

Ítems similars

• Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.
  Publicat: (Москва, Металлургия, 1984)
• Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
  per: Крылов П.Н.
  Publicat: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)
• Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
  per: Ардышев М. В.
  Publicat: (2002)
• Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
  per: Пешев В. В.
  Publicat: (2004)
• Влияние одноосной деформации кристалла на радиус спонтанной рекомбинации пары Френкеля; Исследования молодых - регионам; Т. 1
  per: Избушкина Е.
  Publicat: (2011)