Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
| Parent link: | Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 47, № 3.— 2004.— с. 59-65 |
|---|---|
| Hlavní autor: | |
| Další autoři: | |
| Jazyk: | ruština |
| Vydáno: |
2004
|
| Edice: | Физика полупроводников и диэлектриков |
| Témata: | |
| Médium: | Kapitola |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=420039 |