Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
| Parent link: | Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 47, № 3.— 2004.— с. 59-65 |
|---|---|
| Κύριος συγγραφέας: | |
| Άλλοι συγγραφείς: | |
| Γλώσσα: | Ρωσικά |
| Έκδοση: |
2004
|
| Σειρά: | Физика полупроводников и диэлектриков |
| Θέματα: | |
| Μορφή: | Κεφάλαιο βιβλίου |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=420039 |