|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
420039 |
| 005 |
20231101073326.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\77501
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\prd\29028
|
| 090 |
|
|
|a 420039
|
| 100 |
|
|
|a 20100301a2004 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]
|f М. В. Ардышев, В. М. Ардышев
|
| 225 |
1 |
|
|a Физика полупроводников и диэлектриков
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: 14 назв.
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191
|x 0021-3411
|t Известия вузов. Физика
|f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет
|d 1958-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77490
|t Т. 47, № 3
|v с. 59-65
|d 2004
|
| 610 |
1 |
|
|a точечные дефекты
|
| 610 |
1 |
|
|a слоевая концентрация
|
| 610 |
1 |
|
|a концентрационный профиль
|
| 610 |
1 |
|
|a подвижность
|
| 610 |
1 |
|
|a электроны
|
| 610 |
1 |
|
|a ионнолегированные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационный отжиг
|
| 610 |
1 |
|
|a полуизолирующие материалы
|
| 610 |
1 |
|
|a пары Френкеля
|
| 610 |
1 |
|
|a эксперименты
|
| 675 |
|
|
|a 621.785.3:669.782
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Ардышев
|b М. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Ардышев
|b В. М.
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20041020
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20101029
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
