Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 47, № 3.— 2004.— с. 59-65
المؤلف الرئيسي:	Ардышев М. В.
مؤلفون آخرون:	Ардышев В. М.
اللغة:	الروسية
منشور في:	2004
سلاسل:	Физика полупроводников и диэлектриков
الموضوعات:	точечные дефекты слоевая концентрация концентрационный профиль подвижность электроны ионнолегированные слои радиационный отжиг полуизолирующие материалы пары Френкеля эксперименты
التنسيق:	فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=420039

الوصف
الوصف غير متاح.

مواد مشابهة