Ардышев М. В. & Ардышев В. М. (2004). Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3. 2004.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Ардышев М. В. و Ардышев В. М. Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3. 2004, 2004.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الإصدار التاسع)Ардышев М. В. و Ардышев В. М. Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3. 2004, 2004.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.