توثيق جمعية علم النفس الأمريكية APA (الطبعة السابعة)

Ардышев М. В. & Ардышев В. М. (2004). Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3. 2004.

توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)

Ардышев М. В. و Ардышев В. М. Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3. 2004, 2004.

توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الإصدار التاسع)

Ардышев М. В. و Ардышев В. М. Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3. 2004, 2004.

تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.