APA (7th ed.) Citation

Ардышев М. В. & Ардышев В. М. (2004). Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]. 2004.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Ардышев М. В. and Ардышев В. М. Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]. 2004, 2004.

MLA (9th ed.) Citation

Ардышев М. В. and Ардышев В. М. Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]. 2004, 2004.