Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411
Т. 46, № 6.— 2003.— с. 27-34
Egile nagusia: Нишизава Дж.-И.
Beste egile batzuk: Курабаяши Т.
Hizkuntza:errusiera
Argitaratua: 2003
Gaiak:
Formatua: Liburu kapitulua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419870
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!