Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов

Saved in:
Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411
Т. 46, № 6.— 2003.— с. 27-34
Main Author: Нишизава Дж.-И.
Other Authors: Курабаяши Т.
Language:Russian
Published: 2003
Subjects:
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419870
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!