Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов

Dades bibliogràfiques
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411
Т. 46, № 6.— 2003.— с. 27-34
Autor principal: Нишизава Дж.-И.
Altres autors: Курабаяши Т.
Publicat: 2003
Matèries:
Format: Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419870