Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов

Opis bibliograficzny
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 46, № 6.— 2003.— с. 27-34
1. autor:	Нишизава Дж.-И.
Kolejni autorzy:	Курабаяши Т.
Wydane:	2003
Hasła przedmiotowe:	наноструктуры стехиометрия слитки эпитапсия GaAs ультратонкие пленки наноструктурные приборы
Format:	Rozdział
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419870

Podobne zapisy

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
Wydane: (1998)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Wydane: (2010)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1
od: Синягина М. А.
Wydane: (2013)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]
Wydane: (2003)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Wydane: (2012)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка
Wydane: (2007)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
od: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Wydane: (2016)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Wydane: (2011)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
od: Спирина А. А. Анна Александровна
Wydane: (Новосибирск, 2023)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб
Wydane: (2003)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
od: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Wydane: (Томск, 2023)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide
od: Ayzenshtat G. I.
Wydane: (2017)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения
Wydane: (2010)

Исследование элементарных процессов роста при газофазовой эпитапсии полупроводниковых соединений III- V
od: Ивонин И. В.
Wydane: (2003)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Wydane: (2016)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂
od: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Wydane: (2015)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Wydane: (2012)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
od: Шашурин В. Д.
Wydane: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Wydane: (2013)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Wydane: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Wydane: (2013)

Метод оценки толщины ультратонких плёнок
od: Стогний А. И.
Wydane: (2003)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Wydane: (2012)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Wydane: (2012)

Методы напыления ультратонких металлических пленок
od: Тесленок А. В.
Wydane: (2015)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Wydane: (2012)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Wydane: (2011)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Wydane: (2012)

Наноструктурирование поверхностных слоев конструкционных материалов и нанесение наноструктурных покрытий учебное пособие
od: Панин В. Е. Виктор Евгеньевич
Wydane: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Wydane: (2014)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Wydane: (2012)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Wydane: (Новосибирск, 2025)

Материалы с полифункциональными свойствами на основе волокон, модифицированных наночастицами
Wydane: (Томск, Изд-во ТГПУ, 2023)

Spectral Characteristics of Photoluminescence Synthesized in the Field of Radiation YAGG Phosphors with Different Al/Ga Ratio
Wydane: (2024)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Wydane: (2013)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Wydane: (2019)

Электронная микроскопия для начинающих пер. с англ.
od: Уикли Б. Бренда
Wydane: (Москва, Мир, 1975)

Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias
Wydane: (2018)

GaSe oxidation in air: from bulk to monolayers
Wydane: (2017)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Wydane: (2013)