Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6

Bibliografiset tiedot
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 46, № 6.— 2003.— с. 27-34
Päätekijä:	Нишизава Дж.-И.
Muut tekijät:	Курабаяши Т.
Kieli:	venäjä
Julkaistu:	2003
Aiheet:	наноструктуры стехиометрия слитки эпитапсия GaAs ультратонкие пленки наноструктурные приборы
Aineistotyyppi:	Kirjan osa
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419870

Samankaltaisia teoksia

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
Tekijä: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Julkaistu: (2010)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
Tekijä: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Julkaistu: (2012)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Julkaistu: (2003)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Julkaistu: (1998)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Julkaistu: (2007)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
Tekijä: Синягина М. А.
Julkaistu: (2013)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
Tekijä: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Julkaistu: (2011)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
Tekijä: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Julkaistu: (2016)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
Tekijä: Спирина А. А. Анна Александровна
Julkaistu: (Новосибирск, 2023)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Julkaistu: (2003)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
Tekijä: Ayzenshtat G. I.
Julkaistu: (2017)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
Tekijä: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Julkaistu: (Томск, 2023)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Julkaistu: (2010)

Исследование элементарных процессов роста при газофазовой эпитапсии полупроводниковых соединений III- V; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
Tekijä: Ивонин И. В.
Julkaistu: (2003)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Julkaistu: (2016)

Метод оценки толщины ультратонких плёнок; Приборы и техника эксперимента; № 3
Tekijä: Стогний А. И.
Julkaistu: (2003)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
Tekijä: Шашурин В. Д.
Julkaistu: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Методы напыления ультратонких металлических пленок; Высокие технологии в современной науке и технике
Tekijä: Тесленок А. В.
Julkaistu: (2015)

Наноструктурирование поверхностных слоев конструкционных материалов и нанесение наноструктурных покрытий: учебное пособие
Tekijä: Панин В. Е. Виктор Евгеньевич
Julkaistu: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2012)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
Tekijä: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Julkaistu: (2013)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
Tekijä: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Julkaistu: (Новосибирск, 2025)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
Tekijä: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Julkaistu: (2013)

Электронная микроскопия для начинающих: пер. с англ.
Tekijä: Уикли Б. Бренда
Julkaistu: (Москва, Мир, 1975)

Материалы с полифункциональными свойствами на основе волокон, модифицированных наночастицами
Julkaistu: (Томск, Изд-во ТГПУ, 2023)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 326, № 5
Tekijä: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Julkaistu: (2015)

Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы
Tekijä: Байдусь Н. В.
Julkaistu: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2012)

Зернограничная диффузия и свойства наноструктурных материалов
Julkaistu: (Новосибирск, Наука, 2001)

Наноструктурирование поверхностных слоев конструкционных материалов и нанесение наноструктурных покрытий: учебное пособие
Tekijä: Панин В. Е. Виктор Евгеньевич
Julkaistu: (Томск, Изд-во ТПУ, 2010)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2012)

Моделирование и расчет нагружения агрегатов стартовых комплексов для ракет космического назначения на различных этапах их функционирования
Tekijä: Зверев В. А.
Julkaistu: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2016)

Наноструктурирование поверхностных слоев конструкционных материалов и нанесение наноструктурных покрытий: монография
Tekijä: Панин В. Е. Виктор Евгеньевич
Julkaistu: (Томск, Изд-во ТПУ, 2009)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
Tekijä: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Julkaistu: (2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2014)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
Tekijä: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Julkaistu: (Новосибирск, 2025)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2012)

Выращивание фотодиодных структур на основе InGaAs и InAlGaAs на подложке GaAs методом МОСГЭ. Практикум
Tekijä: Байдусь Н. В.
Julkaistu: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2025)