Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 46, № 6.— 2003.— с. 27-34
Autor Principal:	Нишизава Дж.-И.
Outros autores:	Курабаяши Т.
Idioma:	ruso
Publicado:	2003
Subjects:	наноструктуры стехиометрия слитки эпитапсия GaAs ультратонкие пленки наноструктурные приборы
Formato:	Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419870

MARC


LEADER	00000naa2a2200000 4500
001	419870
005	20231101073320.0
035			\|a (RuTPU)RU\TPU\prd\77328
035			\|a RU\TPU\prd\19609
090			\|a 419870
100			\|a 20100227a2003 k y0rusy50 ca
101	0		\|a rus
102			\|a RU
200	1		\|a Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов \|f Дж.-И. Нишизава, Т. Курабаяши
320			\|a Библиогр.: 23 назв.
461		1	\|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191 \|x 0021-3411 \|t Известия вузов. Физика \|f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет \|d 1958-
463		1	\|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77324 \|t Т. 46, № 6 \|v с. 27-34 \|d 2003
610	1		\|a наноструктуры
610	1		\|a стехиометрия
610	1		\|a слитки
610	1		\|a эпитапсия GaAs
610	1		\|a ультратонкие пленки
610	1		\|a наноструктурные приборы
675			\|a 537.311.322 \|v 3
700		1	\|a Нишизава \|b Дж.-И.
701		1	\|a Курабаяши \|b Т.
801		1	\|a RU \|b 63413507 \|c 20031114 \|g PSBO
801		2	\|a RU \|b 63413507 \|c 20101028 \|g RCR
942			\|c BK