Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
| Parent link: | Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 46, № 6.— 2003.— с. 27-34 |
|---|---|
| Hoofdauteur: | |
| Andere auteurs: | |
| Taal: | Russisch |
| Gepubliceerd in: |
2003
|
| Onderwerpen: | |
| Formaat: | Hoofdstuk |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419870 |
| Geen beschrijving beschikbaar. |