Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов

書誌詳細
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411
Т. 46, № 6.— 2003.— с. 27-34
第一著者: Нишизава Дж.-И.
その他の著者: Курабаяши Т.
言語:ロシア語
出版事項: 2003
主題:
フォーマット: 図書の章
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419870
その他の書誌記述
記述は利用できません。