Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
Parent link: | Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 Т. 46, № 6.— 2003.— с. 27-34 |
---|---|
第一著者: | |
その他の著者: | |
言語: | ロシア語 |
出版事項: |
2003
|
主題: | |
フォーマット: | 図書の章 |
KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=419870 |
記述は利用できません。 |