Нишизава Дж.-И & Курабаяши Т. (2003). Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов. 2003.
Style de citation Chicago (17e éd.)Нишизава Дж.-И et Курабаяши Т. Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов. 2003, 2003.
Style de citation MLA (9e éd.)Нишизава Дж.-И et Курабаяши Т. Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов. 2003, 2003.
Attention : ces citations peuvent ne pas être correctes à 100%.