Нишизава Дж.-И & Курабаяши Т. (2003). Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6. 2003.
Cita Chicago (17th ed.)Нишизава Дж.-И i Курабаяши Т. Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6. 2003, 2003.
Cita MLA (9th ed.)Нишизава Дж.-И i Курабаяши Т. Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6. 2003, 2003.
Atenció: Aquestes cites poden no estar 100% correctes.