|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
419802 |
| 005 |
20231101073318.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\77260
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\prd\14226
|
| 090 |
|
|
|a 419802
|
| 100 |
|
|
|a 20100226a2003 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Влияние примеси никеля на скорость поверхностной генерации на границе раздела Si-SiO[2]
|f С. З. Зайнабидинов, Ш. Х. Йулчиев
|
| 225 |
1 |
|
|a Физика полупроводников и диэлектриков
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: 13 назв.
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191
|x 0021-3411
|t Известия вузов. Физика
|f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет
|d 1958-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77251
|t Т. 46, № 2
|v с. 50-53
|d 2003
|
| 610 |
1 |
|
|a никель
|
| 610 |
1 |
|
|a примеси
|
| 610 |
1 |
|
|a поверхностная генерация
|
| 610 |
1 |
|
|a скорость
|
| 610 |
1 |
|
|a изотермическая релаксация
|
| 610 |
1 |
|
|a границы раздела Si-SiO[2]
|
| 610 |
1 |
|
|a легирование
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.612.5/6
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Зайнабидинов
|b С. З.
|
| 701 |
|
1 |
|a Йулчиев
|b Ш. Х.
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20030523
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20101028
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
