Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 01.04.07

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Еханин С. Г. Сергей Георгиевич
Autor Corporativo: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Otros Autores: Несмелов Н. С. (научный руководитель)
Lenguaje:ruso
Publicado: Томск, 2002
Materias:
Formato: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=41524

MARC

LEADER 00000nbm0a2200000 4500
001 41524
005 20231101210706.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\42650 
090 |a 41524 
100 |a 20020624j2002mmddk y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a dm 001zy 
200 1 |a Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов  |e диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 01.04.07  |f С. Г. Еханин  |g Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники; Научн. конс.: Н. С. Несмелов 
210 |a Томск  |d 2002 
215 |a 304 л.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 242-259. 
606 1 |a Щелочно-галоидные кристаллы  |x Дефекты  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\80319  |9 88044 
610 1 |a кристаллография 
610 1 |a микронные слои 
610 1 |a электрическая прочность 
610 1 |a электрические поля 
610 1 |a кинетика 
610 1 |a диссертации 
675 |a 548.4(04)  |v 3 
686 |a 01.04.07  |2 oksvnk 
700 1 |a Еханин  |b С. Г.  |g Сергей Георгиевич 
702 1 |a Несмелов  |b Н. С.  |4 727 
712 0 2 |a Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\422 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20020624  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20230628  |g PSBO 
942 |c BK