|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
41091 |
| 005 |
20231101210653.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\42160
|
| 090 |
|
|
|a 41091
|
| 100 |
|
|
|a 20020605d2002 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a dm 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов
|e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук:
|f С. Г. Еханин
|g Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
|
| 210 |
|
|
|a Томск
|c [Б. и.]
|d 2002
|
| 215 |
|
|
|a 43 с.
|c ил.
|
| 300 |
|
|
|a Защита сост. 18.06.2002
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 41-43.
|
| 452 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\43868
|t Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов
|o Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук:
|f С. Г. Еханин
|g Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
|c Томск
|n Б.и.
|d 2002
|a Еханин, Сергей Георгиевич
|
| 606 |
1 |
|
|a Щелочно-галоидные кристаллы
|x Дефекты
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\80319
|9 88044
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллография
|
| 610 |
1 |
|
|a микронные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a электрическая прочность
|
| 610 |
1 |
|
|a ударная ионизация
|
| 610 |
1 |
|
|a дефектообразование
|
| 610 |
1 |
|
|a электропроводность
|
| 610 |
1 |
|
|a электрические поля
|
| 610 |
1 |
|
|a кинетика
|
| 610 |
1 |
|
|a авторефераты диссертаций
|
| 675 |
|
|
|a 548.4(04)
|v 3
|
| 686 |
|
|
|a 01.04.07
|2 oksvnk
|
| 700 |
|
1 |
|a Еханин
|b С. Г.
|g Сергей Георгиевич
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\422
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20020605
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20200818
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
