Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук:

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Еханин С. Г. Сергей Георгиевич
Ente Autore:	Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Riassunto:	Защита сост. 18.06.2002
Lingua:	russo
Pubblicazione:	Томск, [Б. и.], 2002
Soggetti:	Щелочно-галоидные кристаллы > Дефекты кристаллография микронные слои электрическая прочность ударная ионизация дефектообразование электропроводность электрические поля кинетика авторефераты диссертаций
Natura:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=41091

Descrizione
Descrizione fisica:	43 с. ил.
Riassunto:	Защита сост. 18.06.2002

Documenti analoghi