Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Körperschaft:	Национальный исследовательский Томский государственный университет
Weitere Verfasser:	Прудаев И. А. Илья Анатольевич (научный руководитель)
Zusammenfassung:	Защита сост. 27.04.2023 г.
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Томск, 2023
Schlagworte:	Галлий, арсенид физика полупроводники вольтамперные характеристики ионизирующее излучение лавинные S-диоды лавинные диоды электрический ток полупроводниковые структуры электрические разряды протекание пробои моделирование численные модели авторефераты диссертаций
Format:	Buch
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=378400

Ähnliche Einträge