Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Ente Autore:	Национальный исследовательский Томский государственный университет
Altri autori:	Прудаев И. А. Илья Анатольевич (научный руководитель)
Riassunto:	Защита сост. 27.04.2023 г.
Lingua:	russo
Pubblicazione:	Томск, 2023
Soggetti:	Галлий, арсенид физика полупроводники вольтамперные характеристики ионизирующее излучение лавинные S-диоды лавинные диоды электрический ток полупроводниковые структуры электрические разряды протекание пробои моделирование численные модели авторефераты диссертаций
Natura:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=378400

Documenti analoghi