Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11

Бібліографічні деталі
Автор:	Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Співавтор:	Национальный исследовательский Томский государственный университет
Інші автори:	Прудаев И. А. Илья Анатольевич (727)
Резюме:	Защита сост. 27.04.2023 г.
Мова:	Російська
Опубліковано:	Томск, 2023
Предмети:	Галлий, арсенид физика полупроводники вольтамперные характеристики ионизирующее излучение лавинные S-диоды лавинные диоды электрический ток полупроводниковые структуры электрические разряды протекание пробои моделирование численные модели авторефераты диссертаций
Формат:	Книга
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=378400

Опис
Фізичний опис:	20 с. ил.
Резюме:	Защита сост. 27.04.2023 г.

Схожі ресурси