Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Autor Corporativo:	Национальный исследовательский Томский государственный университет
Otros Autores:	Прудаев И. А. Илья Анатольевич (727)
Sumario:	Защита сост. 27.04.2023 г.
Publicado:	Томск, 2023
Materias:	физика полупроводники вольтамперные характеристики ионизирующее излучение лавинные S-диоды лавинные диоды электрический ток полупроводниковые структуры электрические разряды протекание пробои моделирование численные модели авторефераты диссертаций
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=378400

Descripción
Descripción Física:	20 с. ил.
Sumario:	Защита сост. 27.04.2023 г.

Ejemplares similares