Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Калинкин И. П. Игорь Петрович
مؤلفون آخرون:	Алесковский В. Б. Валентин Борисович, Симашкевич А. В. Алексей Васильевич
اللغة:	الروسية
منشور في:	Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978
الموضوعات:	Пленки эпитаксиальные > Получение соединения дефекты физическая химия конденсация физико-химические основы физические основы открытое испарение кристаллическая структура эпитаксиальный рост кинетика зародышеобразование термодинамические условия газовая фаза электрофизические свойства гетеропереходы
التنسيق:	كتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=371317

مواد مشابهة

Эпитаксиальные пленки
حسب: Палатник Л. С. Лев Самойлович
منشور في: (Москва, Наука, 1971)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
حسب: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
منشور في: (Новосибирск, 2025)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
حسب: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
منشور في: (Нальчик, 2013)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
حسب: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
منشور في: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
حسب: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
منشور في: (Новосибирск, 2025)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
حسب: Александрова О. А.
منشور في: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
حسب: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
حسب: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
حسب: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
منشور في: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
حسب: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
منشور في: (Томск, 2018)

Основы пленочного полупроводникового материаловедения
حسب: Палатник Л. С. Лев Самойлович
منشور في: (Москва, Энергия, 1973)

Осаждение из газовой фазы: сокр. пер. с англ.
منشور في: (Москва, Атомиздат, 1970)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал; Наукоемкие технологии; № 11
حسب: Рандошкин В. В.
منشور في: (2004)

Монокристаллические пленки: доклады Международной конференции, 1963 г., г. Блю Белл (США)
منشور في: (Москва, Мир, 1966)

Эпитаксиальные датчики Холла и их применение
منشور في: (Ташкент, Фан, 1986)

Materials science and technologies of modern advanced materials : practical course
حسب: Shevchenko I. M.
منشور في: (Ставрополь, СКФУ, 2022)

Электрические явления в тонких пленках: Избранные главы из книги "Thin film phenomena"; пер. с англ.
حسب: Чопра К. Л.
منشور في: (Москва, Мир, 1972)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
منشور في: (Новосибирск, Наука, 1977)

Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
منشور في: (Новосибирск, Наука, 1981)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
حسب: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
منشور في: (Новосибирск, 2025)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
حسب: Александров Л. Н. Леонид Наумович
منشور في: (Новосибирск, Наука, 1978)

Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
حسب: Папков В. С. Владимир Сергеевич
منشور في: (Москва, Энергия, 1979)

Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
منشور في: (Киев, Наукова думка, 1977)

Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharge in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
منشور في: (2017)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник научных трудов
منشور في: (Новочеркасск, НПИ, 1991)

Кристаллизация и свойства кристаллов.: межвузовский сборник
منشور في: (Новочеркасск, Изд-во Новочеркасского политехн. ин-та, 1987)

Selective deposition of polycrystalline diamond films using photolithography with addition of nanodiamonds as nucleation centers; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 116 : Advanced Materials and New Technologies in Modern Materials Science
منشور في: (2016)

Технология прроизводства интегральных микросхем: учебное пособие для вузов
حسب: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
منشور في: (Москва, Энергия, 1977)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
حسب: Чижевич Л. А.
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1974)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур: [монография]
حسب: Корольков В. И. Владимир Ильич
منشور في: (Ташкент, Фан, 1986)

Рост пленок: учебное пособие
حسب: Иевлев В. М. Валентин Михайлович
منشور في: (Воронеж, [Б. и.], 1982)

Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение: монография
منشور في: (Кишинев, Штиинца, 1989)

Островковые металлические пленки
حسب: Трусов Л. И. Лев Ильич
منشور في: (Москва, Металлургия, 1973)

Кинетика образования кристаллов из жидкой фазы
حسب: Кидяров Б. И. Борис Иванович
منشور في: (Новосибирск, Наука, 1979)

Получение, исследование свойств тонкопленочных полупроводниковых гетероструктур из соединений [AIIBVI] и разработка приборов на их основе.: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 05.02.11
حسب: Сычик В. А.
منشور في: (Томск, 1973)

Кинетика массопереноса на поверхности Si(111) при субмонослойном эпитаксиальном росте Si, Ge и адсорбции Sn: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец.1.3.8
حسب: Петров А. С. Алексей Сергеевич
منشور في: (Новосибирск, 2024)

Выращивание кристаллов: выращивание кристаллических пленок методом магнетронного напыления лабораторный практикум
حسب: Пархоменко Ю. Н.
منشور في: (Москва, МИСИС, 2017)

Тонкие нерганические пленки в микроэлектронике
منشور في: (Ленинград, Наука, 1972)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
حسب: Киреева А. Е.
منشور في: (2016)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
منشور في: (2004)