Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI

書誌詳細
第一著者:	Калинкин И. П. Игорь Петрович
その他の著者:	Алесковский В. Б. Валентин Борисович, Симашкевич А. В. Алексей Васильевич
言語:	ロシア語
出版事項:	Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978
主題:	соединения дефекты физическая химия конденсация физико-химические основы физические основы открытое испарение кристаллическая структура эпитаксиальный рост кинетика зародышеобразование термодинамические условия газовая фаза электрофизические свойства гетеропереходы
フォーマット:	図書
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=371317

類似資料

Эпитаксиальные пленки
著者:: Палатник Л. С. Лев Самойлович
出版事項: (Москва, Наука, 1971)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.8
著者:: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
出版事項: (Новосибирск, 2025)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
著者:: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
出版事項: (Нальчик, 2013)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
著者:: Александрова О. А.
出版事項: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
著者:: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
出版事項: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
著者:: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
出版事項: (Новосибирск, 2025)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
著者:: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
著者:: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
著者:: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
出版事項: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
著者:: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
出版事項: (Томск, 2018)

Осаждение из газовой фазы сокр. пер. с англ.
出版事項: (Москва, Атомиздат, 1970)

Materials science and technologies of modern advanced materials : practical course
著者:: Shevchenko I. M.
出版事項: (Ставрополь, СКФУ, 2022)

Основы пленочного полупроводникового материаловедения
著者:: Палатник Л. С. Лев Самойлович
出版事項: (Москва, Энергия, 1973)

Монокристаллические пленки доклады Международной конференции, 1963 г., г. Блю Белл (США)
出版事項: (Москва, Мир, 1966)

Эпитаксиальные датчики Холла и их применение
出版事項: (Ташкент, Фан, 1986)

Технология прроизводства интегральных микросхем учебное пособие для вузов
著者:: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
出版事項: (Москва, Энергия, 1977)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал
著者:: Рандошкин В. В.
出版事項: (2004)

Получение, исследование свойств тонкопленочных полупроводниковых гетероструктур из соединений [AIIBVI] и разработка приборов на их основе. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 05.02.11
著者:: Сычик В. А.
出版事項: (Томск, 1973)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
著者:: Чижевич Л. А.
出版事項: (Томск, [Б. и.], 1974)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур [монография]
著者:: Корольков В. И. Владимир Ильич
出版事項: (Ташкент, Фан, 1986)

Кинетика образования кристаллов из жидкой фазы
著者:: Кидяров Б. И. Борис Иванович
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1979)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании
著者:: Киреева А. Е.
出版事項: (2016)

Кинетика массопереноса на поверхности Si(111) при субмонослойном эпитаксиальном росте Si, Ge и адсорбции Sn автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.1.3.8
著者:: Петров А. С. Алексей Сергеевич
出版事項: (Новосибирск, 2024)

Электрические явления в тонких пленках Избранные главы из книги "Thin film phenomena" пер. с англ.
著者:: Чопра К. Л.
出版事項: (Москва, Мир, 1972)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
著者:: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
出版事項: (Новосибирск, 2025)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
著者:: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
出版事項: (2012)

Оптическая спектроскопия объемных полупроводников и наноструктур
著者:: Тимофеев В. Б.
出版事項: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии
出版事項: (2004)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1977)

Теплотехника и массообмен
著者:: Садеков М. Х.
出版事項: (Нижний Новгород, ВГУВТ, 2014)

Полупроводниковые приборы и электронная аппаратура межвузовский сборник
出版事項: (Кишинев, Штиинца, 1978)

Моноатомные ступени на поверхности кремния
著者:: Латышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2006)

Испарение и конденсация в тепловых трубах
著者:: Ковалев С. А. Сергей Алексеевич
出版事項: (Москва, Наука, 1989)

Испарение и конденсация пер. с англ.
著者:: Хирс Д.
出版事項: (Москва, Металлургия, 1966)

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
著者:: Акчурин Р. Х.
出版事項: (Москва, Техносфера, 2018)

Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharge in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films
出版事項: (2017)

Кипение и конденсация сборник научных трудов
出版事項: (Рига, Изд-во Рижского ТУ, 1992)

Испарение атомно- и магнитоупорядоченных кристаллов с дефектами
著者:: Боголюбов Никита Александрович
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1989)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник научных трудов
出版事項: (Новочеркасск, НПИ, 1991)

Кристаллизация и свойства кристаллов. межвузовский сборник
出版事項: (Новочеркасск, Изд-во Новочеркасского политехн. ин-та, 1987)