Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI

Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awdur:	Калинкин И. П. Игорь Петрович
Awduron Eraill:	Алесковский В. Б. Валентин Борисович, Симашкевич А. В. Алексей Васильевич
Iaith:	Rwseg
Cyhoeddwyd:	Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978
Pynciau:	Пленки эпитаксиальные > Получение соединения дефекты физическая химия конденсация физико-химические основы физические основы открытое испарение кристаллическая структура эпитаксиальный рост кинетика зародышеобразование термодинамические условия газовая фаза электрофизические свойства гетеропереходы
Fformat:	Llyfr
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=371317

Eitemau Tebyg

Эпитаксиальные пленки
gan: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Cyhoeddwyd: (Москва, Наука, 1971)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
gan: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, 2025)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
gan: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Cyhoeddwyd: (Нальчик, 2013)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
gan: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
gan: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, 2025)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
gan: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
gan: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
gan: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Cyhoeddwyd: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
gan: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Cyhoeddwyd: (Томск, 2018)

Осаждение из газовой фазы: сокр. пер. с англ.
Cyhoeddwyd: (Москва, Атомиздат, 1970)

Materials science and technologies of modern advanced materials : practical course
gan: Shevchenko I. M.
Cyhoeddwyd: (Ставрополь, СКФУ, 2022)

Основы пленочного полупроводникового материаловедения
gan: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Cyhoeddwyd: (Москва, Энергия, 1973)

Эпитаксиальные датчики Холла и их применение
Cyhoeddwyd: (Ташкент, Фан, 1986)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал; Наукоемкие технологии; № 11
gan: Рандошкин В. В.
Cyhoeddwyd: (2004)

Монокристаллические пленки: доклады Международной конференции, 1963 г., г. Блю Белл (США)
Cyhoeddwyd: (Москва, Мир, 1966)

Кинетика массопереноса на поверхности Si(111) при субмонослойном эпитаксиальном росте Si, Ge и адсорбции Sn: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец.1.3.8
gan: Петров А. С. Алексей Сергеевич
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, 2024)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
gan: Чижевич Л. А.
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 1974)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур: [монография]
gan: Корольков В. И. Владимир Ильич
Cyhoeddwyd: (Ташкент, Фан, 1986)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
gan: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, 2025)

Кинетика образования кристаллов из жидкой фазы
gan: Кидяров Б. И. Борис Иванович
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, Наука, 1979)

Получение, исследование свойств тонкопленочных полупроводниковых гетероструктур из соединений [AIIBVI] и разработка приборов на их основе.: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 05.02.11
gan: Сычик В. А.
Cyhoeddwyd: (Томск, 1973)

Электрические явления в тонких пленках: Избранные главы из книги "Thin film phenomena"; пер. с англ.
gan: Чопра К. Л.
Cyhoeddwyd: (Москва, Мир, 1972)

Технология прроизводства интегральных микросхем: учебное пособие для вузов
gan: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Cyhoeddwyd: (Москва, Энергия, 1977)

Оптическая спектроскопия объемных полупроводников и наноструктур
gan: Тимофеев В. Б.
Cyhoeddwyd: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
gan: Киреева А. Е.
Cyhoeddwyd: (2016)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
Cyhoeddwyd: (2004)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, Наука, 1977)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
gan: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Cyhoeddwyd: (2012)

Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, Наука, 1981)

Полупроводниковые приборы и электронная аппаратура: межвузовский сборник
Cyhoeddwyd: (Кишинев, Штиинца, 1978)

Моноатомные ступени на поверхности кремния
gan: Латышев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2006)

Теплотехника и массообмен
gan: Садеков М. Х.
Cyhoeddwyd: (Нижний Новгород, ВГУВТ, 2014)

Вып. 5; Молекулярная спектроскопия
Cyhoeddwyd: (1981)

Термодинамический анализ химических реакций, протекающих в металлургических системах. Практикум учебное пособие для вузов
gan: Смирнов А. Н.
Cyhoeddwyd: (Санкт-Петербург, Лань, 2025)

Испарение и конденсация в тепловых трубах
gan: Ковалев С. А. Сергей Алексеевич
Cyhoeddwyd: (Москва, Наука, 1989)

Испарение и конденсация: пер. с англ.
gan: Хирс Д.
Cyhoeddwyd: (Москва, Металлургия, 1966)

Т. 2: Взаимодействие газов с поверхностью. Кинетика испарения и конденсации. Кластеры и аэрозоли; Труды IX Всесоюзной конференции по динамике разреженных газов, июнь 1987 г., г. Свердловск
Cyhoeddwyd: (1988)

Исследование морфологии тонкопленочного гетероперехода p-SnS/n-ZnO; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
gan: Дронова М. В.
Cyhoeddwyd: (2015)

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
gan: Акчурин Р. Х.
Cyhoeddwyd: (Москва, Техносфера, 2018)

Фазовые превращения в метастабильных системах
Cyhoeddwyd: (Свердловск, Уральский Научный центр АН СССР, 1983)