• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Эпитаксиальные пленки соединен...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI

Bibliographic Details
Main Author: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Other Authors: Алесковский В. Б. Валентин Борисович, Симашкевич А. В. Алексей Васильевич
Published: Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978
Subjects:
соединения
дефекты
физическая химия
конденсация
физико-химические основы
физические основы
открытое испарение
кристаллическая структура
эпитаксиальный рост
кинетика
зародышеобразование
термодинамические условия
газовая фаза
электрофизические свойства
гетеропереходы
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=371317
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Similar Items

  • Эпитаксиальные пленки
    by: Палатник Л. С. Лев Самойлович
    Published: (Москва, Наука, 1971)
  • Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
    by: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
    Published: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
  • Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
    by: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
    Published: (Нальчик, 2013)
  • Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
    by: Александрова О. А.
    Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
  • Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
    by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
    Published: (Томск, [Б. и.], 2018)