Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография

書誌詳細
第一著者:	Александров Л. Н. Леонид Наумович
団体著者:	Академия наук СССР Сибирское отделение Институт физики полупроводников
その他の著者:	Кравченко А. Ф. (редактор)
言語:	ロシア語
出版事項:	Новосибирск, Наука, 1978
主題:	Полупроводниковые пленки > Физико-химические свойства эпитаксиальные пленки переходные области рост подложки монографии
フォーマット:	図書
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=370571

類似資料

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
著者:: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
出版事項: (Томск, 2010)

Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур: монография
著者:: Бычков А. А. Андрей Александрович
出版事項: (Москва, Русайнс, 2022)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
著者:: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
出版事項: (Томск, 2010)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
著者:: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
出版事項: (Томск, 2010)

Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1981)

Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
出版事項: (Киев, Наукова думка, 1977)

Физико-химические условия устойчивости гетероструктур плёночных наночипов на основе нитрида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец.02.00.04
著者:: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
出版事項: (Барнаул, 2013)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
著者:: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
出版事項: (Новосибирск, 2025)

Процессы старения и окисления полупроводниковых пленок: учебное пособие для студентов
著者:: Миколайчук А. Г. Алексей Гордеевич
出版事項: (Львов, Вища школа, 1979)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
著者:: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
出版事項: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Кинетика кристаллизации и перекристализации полупроводниковых плёнок
著者:: Александров Л. Н. Леонид Наумович
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1985)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
著者:: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
出版事項: (Нальчик, 2013)

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1988)

Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd); Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 3
出版事項: (2004)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
著者:: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
出版事項: (Новосибирск, 2025)

Ч. 1; Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
出版事項: (1977)

Ч. 2; Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
出版事項: (1977)

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
著者:: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
出版事項: (Москва, Наука, 1988)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
著者:: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
出版事項: (Москва, Энергия, 1974)

Исследование полупроводниковых пленок Cu2S методами атомно-силовой микроскопии; Функциональные материалы: разработка, исследование, применение
著者:: Дронова М. В.
出版事項: (2014)

Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
著者:: Дубровский В. Г. Владимир Германович
出版事項: (Москва, Физматлит, 2009)

Монокристаллические пленки: доклады Международной конференции, 1963 г., г. Блю Белл (США)
出版事項: (Москва, Мир, 1966)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1977)

Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1991)

Измерение сопротивления контактов металл-полупроводник и контроль удельного сопротивления полупроводниковых пленок; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 7
著者:: Филлипов В. В.
出版事項: (2003)

Эпитаксиальные пленки
著者:: Палатник Л. С. Лев Самойлович
出版事項: (Москва, Наука, 1971)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
著者:: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
出版事項: (Москва, Металлургия, 1974)

Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
著者:: Папков В. С. Владимир Сергеевич
出版事項: (Москва, Энергия, 1979)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
著者:: Сычева А. В.
出版事項: (2014)

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
出版事項: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)

Производство полупроводниковых приборов
著者:: Федоров Л. П. Лель Павлович
出版事項: (Москва, Энергия, 1979)

Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение: монография
出版事項: (Кишинев, Штиинца, 1989)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
著者:: Батавин В. В. Виталий Васильевич
出版事項: (Москва, Советское радио, 1976)

Электрические явления в тонких пленках: Избранные главы из книги "Thin film phenomena"; пер. с англ.
著者:: Чопра К. Л.
出版事項: (Москва, Мир, 1972)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
著者:: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
出版事項: (2014)

Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1972)

Влияние температуры отжига и материала промежуточного подслоя на деградацию тонких плёнок CU на кремниевой и поликоровой подложках; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1
著者:: Лязгин А. О.
出版事項: (2009)

Рост пленок: учебное пособие
著者:: Иевлев В. М. Валентин Михайлович
出版事項: (Воронеж, [Б. и.], 1982)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
著者:: Харченко В. В. Валерий Владимирович
出版事項: (Ташкент, Фан, 1979)

Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах: [монография]
著者:: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
出版事項: (Ленинград, Наука, 1978)