• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzata
  • Переходные области эпитаксиаль...
  • Citazione
  • Invia SMS
  • Invia email
  • Stampa
  • Esporta il record
    • Esporta a RefWorks
    • Esporta a EndNoteWeb
    • Esporta a EndNote
  • PLink permanente
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок, монография

Dettagli Bibliografici
Autore principale: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Ente Autore: Академия наук СССР Сибирское отделение Институт физики полупроводников
Altri autori: Кравченко А. Ф. (340)
Lingua:russo
Pubblicazione: Новосибирск, Наука, 1978
Soggetti:
эпитаксиальные пленки
переходные области
рост
подложки
монографии
Natura: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=370571
  • Posseduto
  • Descrizione
  • Documenti analoghi
  • MARC21

Documenti analoghi

  • Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
    di: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
    Pubblicazione: (Томск, 2010)
  • Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
    di: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
    Pubblicazione: (Томск, 2010)
  • Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур монография
    di: Бычков А. А. Андрей Александрович
    Pubblicazione: (Москва, Русайнс, 2022)
  • Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
    di: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
    Pubblicazione: (Томск, 2010)
  • Физико-химические условия устойчивости гетероструктур плёночных наночипов на основе нитрида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.02.00.04
    di: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
    Pubblicazione: (Барнаул, 2013)