• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Переходные области эпитаксиаль...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок, монография

Bibliographic Details
Main Author: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Corporate Author: Академия наук СССР Сибирское отделение Институт физики полупроводников
Other Authors: Кравченко А. Ф. (340)
Published: Новосибирск, Наука, 1978
Subjects:
эпитаксиальные пленки
переходные области
рост
подложки
монографии
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=370571
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Similar Items

  • Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
    by: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
    Published: (Томск, 2010)
  • Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
    by: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
    Published: (Томск, 2010)
  • Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур монография
    by: Бычков А. А. Андрей Александрович
    Published: (Москва, Русайнс, 2022)
  • Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
    by: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
    Published: (Томск, 2010)
  • Физико-химические условия устойчивости гетероструктур плёночных наночипов на основе нитрида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.02.00.04
    by: Комаровских Н. В. Нина Валерьевна
    Published: (Барнаул, 2013)