• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Розширений
  • Переходные области эпитаксиаль...
  • Цитувати
  • Відправити по sms
  • Відправити е-поштою
  • Друк
  • Експортувати запис
    • Екпортувати в RefWorks
    • Екпортувати в EndNoteWeb
    • Екпортувати в EndNote
  • Постійне посилання
Export byl úspěšný — 
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография

Бібліографічні деталі
Автор: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Співавтор: Академия наук СССР Сибирское отделение Институт физики полупроводников
Інші автори: Кравченко А. Ф. (редактор)
Мова:Російська
Опубліковано: Новосибирск, Наука, 1978
Предмети:
Полупроводниковые пленки > Физико-химические свойства
эпитаксиальные пленки
переходные области
рост
подложки
монографии
Формат: MixedMaterials Книга
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=370571
  • Примірники
  • Опис
  • Схожі ресурси
  • Службовий вигляд

Схожі ресурси

  • Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
    за авторством: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
    Опубліковано: (Томск, 2010)
  • Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур: монография
    за авторством: Бычков А. А. Андрей Александрович
    Опубліковано: (Москва, Русайнс, 2022)
  • Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
    за авторством: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
    Опубліковано: (Томск, 2010)
  • Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
    за авторством: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
    Опубліковано: (Томск, 2010)
  • Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
    Опубліковано: (Новосибирск, Наука, 1981)