Skip to content
VuFind
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Гетеропереходы на основе полуп...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений A II B VI

Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений A II B VI

Bibliographic Details
Main Author: Симашкевич А. В. Алексей Васильевич
Corporate Author: Кишиневский государственный университет
Published: Кишинев, Штиинца, 1980
Subjects:
классификация
электрические свойства
фотоэлектрические свойства
излучательные свойства
оптическая память
переключения
практическое применение
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=363606
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Similar Items

  • Полупроводниковые гетеропереходы пер. с англ.
    by: Шарма Б. Л.
    Published: (Москва, Советское радио, 1979)
  • Фотоэлектрические свойства гетеропереходов [сборник]
    Published: (Кишинев, Штиинца, 1980)
  • Получение, исследование свойств тонкопленочных полупроводниковых гетероструктур из соединений [AIIBVI] и разработка приборов на их основе. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 05.02.11
    by: Сычик В. А.
    Published: (Томск, 1973)
  • Материалы для полупроводниковой электроники [сборник]
    Published: (Кишинев, Штиинца, 1984)
  • Физика сложных полупроводниковых соединений
    Published: (Кишинев, Штиинца, 1979)