Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11

Bibliografiset tiedot
Päätekijä:	Чижевич Л. А.
Yhteisötekijät:	Томский политехнический институт, Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов
Muut tekijät:	Маслов В. Н. (научный руководитель), Ермолаев В. А.
Yhteenveto:	For_staff_use
Kieli:	venäjä
Julkaistu:	Томск, [Б. и.], 1974
Aiheet:	Полупроводниковые соединения > Получение система Ga-AsCl3-H2 примеси нестабильность легированные слои рост свойства процессы производительность воспроизводимость реакторы конструкции легирование эпитаксиальные структуры эпитаксиальные p-n переходы электрофизические характеристики диссертации
Aineistotyyppi:	Kirja
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=352262

Samankaltaisia teoksia

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2012)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
Tekijä: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Julkaistu: (Новосибирск, 2025)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Julkaistu: (2015)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Julkaistu: (2015)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Julkaistu: (2003)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
Tekijä: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Julkaistu: (Москва, Советское радио, 1976)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
Tekijä: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (2014)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
Tekijä: Сычева А. В.
Julkaistu: (2014)

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Tekijä: Акчурин Р. Х.
Julkaistu: (Москва, Техносфера, 2018)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Julkaistu: (2010)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
Tekijä: Олешко В. И. Владимир Иванович
Julkaistu: (2015)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
Tekijä: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Julkaistu: (Ташкент, Фан, 1979)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Tekijä: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2018)

Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах: [монография]
Tekijä: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Julkaistu: (Ленинград, Наука, 1978)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
Tekijä: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Julkaistu: (Новосибирск, Наука, 1978)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
Tekijä: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Julkaistu: (Москва, Энергия, 1974)

Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
Julkaistu: (Новосибирск, Наука, 1981)

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем
Tekijä: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Julkaistu: (Ташкент, Фан, 1989)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
Tekijä: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Julkaistu: (2010)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук
Tekijä: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Julkaistu: (Томск, 2001)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
Tekijä: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2001)

Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Tekijä: Ивонин И. В. Иван Варфоломеевич
Julkaistu: (Новосибирск, [Б. и.], 1998)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
Tekijä: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Julkaistu: (2012)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев.; Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 2-51/86
Julkaistu: (Томск, 1989)

Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd); Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 3
Julkaistu: (2004)

Полупроводниковые материалы в современной электронике
Tekijä: Мильвидский М. Г. Михаил Григорьевич
Julkaistu: (Москва, Наука, 1986)

Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
Tekijä: Дубровский В. Г. Владимир Германович
Julkaistu: (Москва, Физматлит, 2009)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
Tekijä: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Julkaistu: (Москва, Металлургия, 1974)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Julkaistu: (2016)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Julkaistu: (2007)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
Tekijä: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Julkaistu: (Нальчик, 2013)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Julkaistu: (2003)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
Tekijä: Киреева А. Е.
Julkaistu: (2016)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
Tekijä: Нишизава Дж.-И.
Julkaistu: (2003)

Эпитаксиальные датчики Холла и их применение
Julkaistu: (Ташкент, Фан, 1986)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Julkaistu: (Новосибирск, Наука, 1977)

Т. 2; Рост кристаллов. Теория роста и методы выращивания кристаллов
Julkaistu: (1981)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
Julkaistu: (2004)

Химия и технология ферритов: учебное пособие
Tekijä: Летюк Л. М. Леонид Михайлович
Julkaistu: (Ленинград, Химия, 1983)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Tekijä: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2017)