Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Чижевич Л. А.
Körperschaften:	Томский политехнический институт, Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов
Weitere Verfasser:	Маслов В. Н. (научный руководитель), Ермолаев В. А.
Zusammenfassung:	For_staff_use
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Томск, [Б. и.], 1974
Schlagworte:	Полупроводниковые соединения > Получение система Ga-AsCl3-H2 примеси нестабильность легированные слои рост свойства процессы производительность воспроизводимость реакторы конструкции легирование эпитаксиальные структуры эпитаксиальные p-n переходы электрофизические характеристики диссертации
Format:	Buch
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=352262

Ähnliche Einträge