|
|
|
|
| LEADER |
00000nbm0a2200000 4500 |
| 001 |
352262 |
| 005 |
20260715071803.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\retro\8681
|
| 090 |
|
|
|a 352262
|
| 100 |
|
|
|a 20191205d1974 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a m 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов
|e диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
|e спец. 05.12.11
|f Л. А. Чижевич
|g Томский политехнический институт ; Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов ; науч. рук. В. Н. Маслов, В. А. Ермолаев
|
| 210 |
|
|
|a Томск
|c [Б. и.]
|d 1974
|
| 215 |
|
|
|a 154 л.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 140-148 (134 назв.)
|
| 371 |
0 |
|
|a For_staff_use
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводниковые соединения
|x Получение
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50739
|
| 610 |
1 |
|
|a система Ga-AsCl3-H2
|
| 610 |
1 |
|
|a примеси
|
| 610 |
1 |
|
|a нестабильность
|
| 610 |
1 |
|
|a легированные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a рост
|
| 610 |
1 |
|
|a свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a процессы
|
| 610 |
1 |
|
|a производительность
|
| 610 |
1 |
|
|a воспроизводимость
|
| 610 |
1 |
|
|a реакторы
|
| 610 |
1 |
|
|a конструкции
|
| 610 |
1 |
|
|a легирование
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксиальные структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксиальные p-n переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a электрофизические характеристики
|
| 610 |
1 |
|
|a диссертации
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.592.002(04)
|v 4
|
| 700 |
|
1 |
|a Чижевич
|b Л. А.
|
| 702 |
|
1 |
|a Маслов
|b В. Н.
|4 727
|
| 702 |
|
1 |
|a Ермолаев
|b В. А.
|4 727
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Томский политехнический институт
|c 1944-1991
|7 ca
|8 rus
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\1123
|9 23521
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\5903
|9 24168
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20191205
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
