Накопление катионных френнелевских дефектов в щелочногалоидных кристаллах под действием электронного облучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07

Documents similaires

• Радиационная проводимость и электронно-дырочная рекомбинация в щелочногалоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
  par: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
  Publié: (Томск, 1973)
• Кинетика накопления электронных центров в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
  par: Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич
  Publié: (Ташкент, [Б. и.], 1966)
• Строение щелочногалоидных фосфоров, закономерность распределения в них активатора и механизм процессов возбуждения и высвечивания: доклад на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
  par: Шамовский Л. М.
  Publié: (Москва, [Б. и.], 1963)
• Примесные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах
  par: Кожогулов О. Ч.
  Publié: (Фрунзе, Илим, 1984)
• Исследование запасания энергии излучения щелочногалоидными кристаллами и процессов выделения энергии при термическом отжиге радиационных дефектов: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.040
  par: Борисовский В. В.
  Publié: (Томск, [Б. и.], 1969)