Накопление катионных френнелевских дефектов в щелочногалоидных кристаллах под действием электронного облучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07

Eitemau Tebyg

• Радиационная проводимость и электронно-дырочная рекомбинация в щелочногалоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
  gan: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
  Cyhoeddwyd: (Томск, 1973)
• Кинетика накопления электронных центров в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
  gan: Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич
  Cyhoeddwyd: (Ташкент, [Б. и.], 1966)
• Примесные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах
  gan: Кожогулов О. Ч.
  Cyhoeddwyd: (Фрунзе, Илим, 1984)
• Строение щелочногалоидных фосфоров, закономерность распределения в них активатора и механизм процессов возбуждения и высвечивания: доклад на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
  gan: Шамовский Л. М.
  Cyhoeddwyd: (Москва, [Б. и.], 1963)
• Исследование радиационного дефектообразования в катионной подрешетке щелочно-галоидных кристаллов: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
  gan: Галанов Ю. И. Юрий Иванович
  Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 1976)