|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
320329 |
| 005 |
20231102003252.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\345860
|
| 090 |
|
|
|a 320329
|
| 100 |
|
|
|a 20160705d1980 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Структура компонентов БИС
|f Ф. Л. Эдельман
|g Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) ; под ред. К. К. Свиташева
|
| 210 |
|
|
|a Новосибирск
|c Наука
|d 1980
|
| 215 |
|
|
|a 256 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр. в конце гл.
|
| 606 |
1 |
|
|a Интегральные схемы микроэлектронные
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\12776
|9 39496
|
| 610 |
1 |
|
|a кремний
|
| 610 |
1 |
|
|a пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллизация
|
| 610 |
1 |
|
|a нитрид кремния
|
| 610 |
1 |
|
|a свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a синтез
|
| 610 |
1 |
|
|a свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a применение
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a дефекты
|
| 610 |
1 |
|
|a электрофизические свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a структурный анализ
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.049.77
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Эдельман
|b Ф. Л.
|g Феликс Леонидович
|
| 702 |
|
1 |
|a Свиташев
|b К. К.
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук СССР (АН СССР)
|b Сибирское отделение (СО)
|b Институт физики полупроводников (ИФП)
|c (Новосибирск)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\11385
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20160705
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20170208
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
