Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники: учебное пособие

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Гермогенов В. П. Валерий Петрович
Tác giả của công ty: Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)
Tóm tắt:В учебном пособии рассмотрены свойства основных полупроводниковых материалов и характеристики барьерных структур (р-п-переходов и гетеропереходов), использующихся при создании опто-электронных приборов. Описаны принципы действия, основные харак­теристики и конструкции фотодиодов, фотопреобразователей, светоди-одов и инжекционных лазеров.Для студентов старших курсов высших учебных заведений, обуча­ющихся по направлениям «Физика», «Радиофизика», «Электроника и наноэлектроника», а также аспирантов и научных сотрудников, рабо­тающих в области полупроводниковой электроники и оптоэлектроники.
Ngôn ngữ:Tiếng Nga
Được phát hành: Томск, Издательский дом ТГУ, 2015
Những chủ đề:
Định dạng: Sách
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=315489

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 315489
005 20231102002802.0
010 |a 9785946214759 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\340925 
090 |a 315489 
100 |a 20160302d2015 m y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a j 001zy 
200 1 |a Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники  |e учебное пособие  |f В. П. Гермогенов  |g Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) 
210 |a Томск  |c Издательский дом ТГУ  |d 2015 
215 |a 272 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 264-271. 
320 |a Глоссарий: с. 255-257. 
320 |a Основные сокращения: с. 258-263. 
330 |a В учебном пособии рассмотрены свойства основных полупроводниковых материалов и характеристики барьерных структур (р-п-переходов и гетеропереходов), использующихся при создании опто-электронных приборов. Описаны принципы действия, основные харак­теристики и конструкции фотодиодов, фотопреобразователей, светоди-одов и инжекционных лазеров.Для студентов старших курсов высших учебных заведений, обуча­ющихся по направлениям «Физика», «Радиофизика», «Электроника и наноэлектроника», а также аспирантов и научных сотрудников, рабо­тающих в области полупроводниковой электроники и оптоэлектроники. 
606 1 |a Оптоэлектроника  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\47265  |9 66320 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a электроны 
610 1 |a дырки 
610 1 |a оптическое излучение 
610 1 |a поглощение 
610 1 |a свет 
610 1 |a p-n-переходы 
610 1 |a свойства 
610 1 |a гетероструктуры 
610 1 |a материалы 
610 1 |a фотодиоды 
610 1 |a фотоэлектрические преобразователи 
610 1 |a светодиоды 
610 1 |a белый свет 
610 1 |a получение 
610 1 |a инжекционные лазеры 
610 1 |a характеристики 
610 1 |a конструкции 
610 1 |a теория 
610 1 |a задания 
610 1 |a лабораторные работы 
610 1 |a практические работы 
610 1 |a учебные пособия 
675 |a 621.383(075.8)  |v 3 
700 1 |a Гермогенов  |b В. П.  |g Валерий Петрович 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)  |c (2009- )  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\17230 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20160302 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160311  |g RCR 
900 |a Оптоэлектроника 
942 |c BK