| Summary: | В учебном пособии рассмотрены свойства основных полупроводниковых материалов и характеристики барьерных структур (р-п-переходов и гетеропереходов), использующихся при создании опто-электронных приборов. Описаны принципы действия, основные характеристики и конструкции фотодиодов, фотопреобразователей, светоди-одов и инжекционных лазеров.Для студентов старших курсов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям «Физика», «Радиофизика», «Электроника и наноэлектроника», а также аспирантов и научных сотрудников, работающих в области полупроводниковой электроники и оптоэлектроники. |
|---|
