Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках: пер. с англ.

Dades bibliogràfiques
Autor principal:	Милнс А.
Altres autors:	Пекарь Г. С. (переводчик), Шейнкман М. К. (редактор)
Idioma:	rus
Publicat:	Москва, Мир, 1977
Matèries:	Электроника полупроводниковая Полупроводники > Физика примеси энергетические уровни кремний германий стационарное состояние статистика ловушки глубокие примеси рекомбинация рекомбинационные центры фотопроводимость термостимулированный ток ударная ионизация прыжковая проводимость
Format:	Llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=314109

MARC


LEADER	00000nam0a2200000 4500
001	314109
005	20231102002638.0
035			\|a (RuTPU)RU\TPU\book\339520
090			\|a 314109
100			\|a 20160208d1977 k y0rusy50 ca
101	1		\|a rus \|c eng
102			\|a RU
105			\|a a z 001zy
200	1		\|a Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках \|e пер. с англ. \|f А. Милнс \|g пер. Г. С. Пекаря ; под ред. М. К. Шейнкмана
210			\|a Москва \|c Мир \|d 1977
215			\|a 562 с. \|c граф.
320			\|a Библиогр.: с. 448-546.
320			\|a Предметный указатель: с. 547-558.
606	1		\|a Электроника полупроводниковая \|2 stltpush \|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\20334 \|9 45443
606	1		\|a Полупроводники \|x Физика \|2 stltpush \|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50607
610	1		\|a примеси
610	1		\|a энергетические уровни
610	1		\|a кремний
610	1		\|a германий
610	1		\|a стационарное состояние
610	1		\|a статистика
610	1		\|a ловушки
610	1		\|a глубокие примеси
610	1		\|a рекомбинация
610	1		\|a рекомбинационные центры
610	1		\|a фотопроводимость
610	1		\|a термостимулированный ток
610	1		\|a ударная ионизация
610	1		\|a прыжковая проводимость
675			\|a 621.382 \|v 4
675			\|a 537.311.322 \|v 4
700		1	\|a Милнс \|b А.
702		1	\|a Пекарь \|b Г. С. \|4 730
702		1	\|a Шейнкман \|b М. К. \|4 340
801		1	\|a RU \|b 63413507 \|c 20160208
801		2	\|a RU \|b 63413507 \|c 20210902 \|g RCR
942			\|c BK