• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Примеси с глубокими уровнями в...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках пер. с англ.

Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, пер. с англ.

Bibliographic Details
Main Author: Милнс А.
Other Authors: Пекарь Г. С. (730), Шейнкман М. К. (340)
Published: Москва, Мир, 1977
Subjects:
примеси
энергетические уровни
кремний
германий
стационарное состояние
статистика
ловушки
глубокие примеси
рекомбинация
рекомбинационные центры
фотопроводимость
термостимулированный ток
ударная ионизация
прыжковая проводимость
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=314109
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Similar Items

  • Физические основы конструирования, технологии и микроэлектроники учебное пособие
    by: Мевис А. Ф. Александр Федорович
    Published: (Москва, Изд-во МИРЭА, 1987)
  • Зарубежные микросхемы, транзисторы, диоды. А.Z
    Published: (СПб., Наука и техника, 2001)
  • Т. 2
    Published: (2005)
  • Зарубежные микросхемы, транзисторы, тиристоры, диоды + SMD. 0...9 справочник
    Published: (СПб., Наука и техника, 2005)
  • Т. 1 (А...М)
    Published: (2005)