• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
उन्नत
  • Примеси с глубокими уровнями в...
  • इसे उद्धृत करें
  • इसका टेक्स्ट मैसेज भेजे
  • इसे ईमेल करें
  • प्रिंट
  • निर्यात रिकॉर्ड
    • को निर्यात RefWorks
    • को निर्यात EndNoteWeb
    • को निर्यात EndNote
  • स्थायी लिंक
Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках пер. с англ.

Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, пер. с англ.

ग्रंथसूची विवरण
मुख्य लेखक: Милнс А.
अन्य लेखक: Пекарь Г. С. (730), Шейнкман М. К. (340)
प्रकाशित: Москва, Мир, 1977
विषय:
примеси
энергетические уровни
кремний
германий
стационарное состояние
статистика
ловушки
глубокие примеси
рекомбинация
рекомбинационные центры
фотопроводимость
термостимулированный ток
ударная ионизация
прыжковая проводимость
स्वरूप: पुस्तक
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=314109
  • होल्डिंग्स
  • विवरण
  • समान संसाधन
  • स्टाफ के लिए
विवरण
भौतिक वर्णन:562 с. граф.

समान संसाधन

  • Рост и свойства кристаллов сборник научных трудов
    प्रकाशित: (Харьков, [Б. и.], 1980)
  • Зарубежные микросхемы, транзисторы, диоды. А.Z
    प्रकाशित: (СПб., Наука и техника, 2001)
  • Физические основы конструирования, технологии и микроэлектроники учебное пособие
    द्वारा: Мевис А. Ф. Александр Федорович
    प्रकाशित: (Москва, Изд-во МИРЭА, 1987)
  • Т. 2
    प्रकाशित: (2005)
  • Т. 1 (А...М)
    प्रकाशित: (2005)